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凈化工程控制設定
發布時間:2019-06-20 17:00瀏覽次數:

  潔凈室裝修的溫度和濕度主要根據工藝要求確定,但在滿足工藝要求時應考慮人的舒適度。隨著空氣潔凈度要求的提高,該過程趨向于對溫度和濕度有更嚴格的要求。特定過程的溫度要求將在后面列舉,但作為一般原理,隨著加工精度變得越來越精細,對溫度波動范圍的要求越來越小。

  例如,在用于大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中,要求玻璃和作為掩模材料的硅晶片之間的熱膨脹系數的差異越來越小。直徑為100微米,溫度上升1度的硅晶片,線性膨脹為0.24微米,因此必須具有±0.1度的恒定溫度,并且濕度值通常要求較低,因為在該人出汗后,該產品將被實驗臺污染和清理。特別是在害怕鈉的半導體車間,這個車間的溫度不應超過25度,而且濕度過大的問題更多。當相對濕度超過55%時,冷卻水管壁上會形成冷凝水。如果它發生在精密設備或電路中,將導致各種事故。

  相對濕度可能會生銹50%。另外,當濕度太高時,難以通過空氣中的水分子去除附著在硅晶片表面上的灰塵。相對濕度越高,去除附著力越困難,但當相對濕度低于30%時,由于靜電力,顆粒也容易吸附到表面,并且大量的半導體器件容易發生崩潰。對于晶圓生產,最佳濕度范圍是35-45%gmp車間凈化項目。

 

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